3nm單片機芯片工藝的“戰(zhàn)鼓”敲響了，深圳單片機開發(fā)方案公司英銳恩分享芯資訊。早前，三星宣布提速3nm單片機芯片工藝，且臺積電相關(guān)人員在月初表示3nm單片機芯片工藝相關(guān)技術(shù)已經(jīng)到位，只欠環(huán)評的東風(fēng)了?？梢姡?nm單片機芯片工藝的競爭正式打響。20日，臺灣臺積電3nm單片機芯片工藝環(huán)評正式通過，200億美金投資規(guī)模進(jìn)入了一個新階段。

3nm單片機芯片工藝對晶圓廠來說，要攻破技術(shù)研發(fā)之外，水電的消耗也是一個大問題，3nm單片機芯片工藝水電消耗是不容忽視的問題。特別是在大量使用EUV工藝之后，我們之前在介紹EUV光刻機時就提到過這個問題，由于EUV極其耗電，因為13.5nm的紫外光容易被吸收，導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率非常低，據(jù)說只有0.02%，目前ASML的EUV光刻機輸出功率是250W，工作一天就要耗電3萬度，可見晶圓代工廠耗電量極大。

除了耗電之外，晶圓廠在制造芯片的過程中還需要大量水源，在已經(jīng)做到80%以上的循環(huán)用水的情況下，大型晶圓代工廠日用水量達(dá)5萬噸，用水總量依然驚人，所以建設(shè)半導(dǎo)體晶圓廠對環(huán)境方面的壓力還是很大的，工藝越先進(jìn)，問題就越明顯。

晶元代工廠巨頭們爭相追逐先進(jìn)的工藝制程，但是對于國內(nèi)本土的晶圓代工廠來說，先進(jìn)工藝支持需要耗費更多心力。單片機產(chǎn)業(yè)晶圓代工廠的前進(jìn)讓芯世界有更多可能。